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Referenzen - Email
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MOSFET MCH6353 der hohen Leistung
Einzelnes P-Kanal 12V 6.0A 35 mΩ
2022-05-30 21:45:58
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MOSFET MCH6351 der hohen Leistung
Einzelnes P-Kanal 12V 9A mΩ 16,9
2022-05-30 21:45:58
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MOSFET MCH6341 der hohen Leistung
Einzelner P-Kanal 30V 5A 59mΩ
2022-05-30 21:45:58
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MOSFET IRLS640A der hohen Leistung
N-Kanal-logischer Zustand A-FET, 200 mΩ V 9,8 A 180, TO-220F
2022-05-30 21:45:57
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MOSFET IRL640A der hohen Leistung
MΩ TO-220 des N-Kanal-logischen Zustandes A-FET 200 V 18 A 180
2022-05-30 21:45:57
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MOSFET IRFM120A der hohen Leistung
Energie MOSFET, N-Kanal, A-FET, 100 V, 2,3 A, 0,2 Ω, SOT-223
2022-05-30 21:45:57
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MOSFET HUFA76429D3 der hohen Leistung
UltraFET-Energie MOSFET 60V, 20A, 27mΩ des N-Kanal-logischen Zustandes
2022-05-30 21:45:57
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MOSFET HUFA75645S3S der hohen Leistung
N-Kanal UltraFET 100V 75A 14mΩ
2022-05-30 21:45:57
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MOSFET HUF76639S3S der hohen Leistung
N-Kanal-logischer Zustand UltraFET<sup>®</sup> 100V, 50A, 26mΩ
2022-05-30 21:45:57
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MOSFET HUF76629D3S der hohen Leistung
N-Kanal-logischer Zustand UltraFET<sup>®</sup> 100V 20A 52mΩ
2022-05-30 21:45:56
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