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MOSFET FQB1P50 der hohen Leistung P-Kanal QFET® -500 V -1,5 A Ω 10,5 D2PAK
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P-Kanal QFET MOSFET FQB1P50 der hohen Leistung ® -500 V -1,5 A Ω 10,5 D2PAK [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen Bauelementen Verkauf ... Lesen Sie weiter Bestpreis

2022-05-30 21:52:23

MOSFET FQB19N20L der hohen Leistung N-Kanal-logischer Zustand QFET® 200V 21 A, 140 mΩ, D2PAK
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Des N-Kanal-logischen Zustandes QFET MOSFET FQB19N20L der hohen Leistung ® 200V 21 A, 140 mΩ, D2PAK [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronisch... Lesen Sie weiter Bestpreis

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MOSFET FQB19N20C der hohen Leistung N-Kanal QFET® 200V 19A 170 mΩ D2PAK
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MOSFET FQB19N20 der hohen Leistung N-Kanal QFET® 200V 19.4A 150mΩ D2PAK
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MOSFET FQB12P20 der hohen Leistung P-Kanal QFET®, mΩ 200V 11.5A 470, D2PAK
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MOSFET FQB11N40C der hohen Leistung N-Kanal QFET®, 400 V, 10,5 A, 530 mΩ, D2PAK
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MOSFET FQAF16N50 der hohen Leistung N-Kanal, QFET®, 500 V, 11,3 A, 320 mΩ, TO-3PF
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MOSFET FQAF11N90C der hohen Leistung N-Kanal QFET®, 900 V, 7 A, 1,1 Ω, TO-3PF
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