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Datenspeicherungs-Mikrochip 512K des Flash-Speicher-24LC512-I/SM biss 64Kx8
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24LC256-I/SM Stückchen 32K x des Mikrochips I2c Eeprom 256K 8 3.3V/5V 8 Rohr Pin SOIJ
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Datenspeicherung des Flash-Speicher-24LC01B-I/SN, Mikrochip Serien-Stückchen 3.3V/5V Eeprom 1K
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24LC64T-I/SN SERIENmikrochip Spi EEPROM 64KBIT 400KHZ, SOIC-8
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Flash-Speicher-Datenspeicherung MT29GZ5A5BPGGA 046IT, NAND Based Micron MCP
Flash-Speicher-Datenspeicherung MT29GZ5A5BPGGA 046IT, NAND Based Micron MCP
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Flash-Speicher-Datenspeicherung

(20)
China Datenspeicherungs-Mikrochip 512K des Flash-Speicher-24LC512-I/SM biss 64Kx8 usine

Datenspeicherungs-Mikrochip 512K des Flash-Speicher-24LC512-I/SM biss 64Kx8
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Mikrochip 24LC512-I/SMProdukt-technische Spezifikationen EU RoHS Konform ECCN (US) EAR99 Teil-Status Aktiv Automobil Nein PPAP Nein Chip Density (Stückchen) 512K Organisation 64Kx8 Adressbus-Breite (Stückchen) ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-03-15 14:43:07
China 24LC256-I/SM Stückchen 32K x des Mikrochips I2c Eeprom 256K 8 3.3V/5V 8 Rohr Pin SOIJ usine

24LC256-I/SM Stückchen 32K x des Mikrochips I2c Eeprom 256K 8 3.3V/5V 8 Rohr Pin SOIJ
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24LC256-I/SM Mikrochip EEPROM Serial-I2C 256K-bit 32K x 8 Rohr 3.3V/5V 8-Pin SOIJProdukt-technische Spezifikationen EU RoHS Konform ECCN (US) EAR99 Teil-Status Aktiv Automobil Nein PPAP Nein Chip Density (St... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-03-15 14:43:06
China Datenspeicherung des Flash-Speicher-24LC01B-I/SN, Mikrochip Serien-Stückchen 3.3V/5V Eeprom 1K usine

Datenspeicherung des Flash-Speicher-24LC01B-I/SN, Mikrochip Serien-Stückchen 3.3V/5V Eeprom 1K
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24LC01B-I/SN Mikrochip EEPROM Serial-2Wire 1K-bit 128 x 8 Rohr 3.3V/5V 8-Pin SOIC NProdukt-technische Spezifikationen EU RoHS Konform ECCN (US) EAR99 Teil-Status Aktiv Automobil Nein PPAP Nein Chip Density (St... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-03-15 14:43:06
China 24LC64T-I/SN SERIENmikrochip Spi EEPROM 64KBIT 400KHZ, SOIC-8 usine

24LC64T-I/SN SERIENmikrochip Spi EEPROM 64KBIT 400KHZ, SOIC-8
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24LC64T-I/SN Mikrochip SERIEN-EEPROM, 64KBIT, 400KHZ, SOIC-8Produkt-technische Spezifikationen EU RoHS Konform ECCN (US) EAR99 Teil-Status Aktiv Automobil Nein PPAP Nein Chip Density (Stückchen) 64K Organisatio... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-03-15 14:43:06
China Flash-Speicher-Datenspeicherung MT29GZ5A5BPGGA 046IT, NAND Based Micron MCP usine

Flash-Speicher-Datenspeicherung MT29GZ5A5BPGGA 046IT, NAND Based Micron MCP
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MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J Mikrometer NAND-ansässiges MCPProdukt-technische Spezifikationen EU RoHS Konform ECCN (US) 3A991.b.1.a Teil-Status Aktiv HTS 8542.32.00.71 Automobil Nein PPAP Nein Lieferanten-Paket ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-03-15 14:43:06
China KMQE60013B-B318 SAMSUNG multi Chip Package Memory MCP usine

KMQE60013B-B318 SAMSUNG multi Chip Package Memory MCP
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KMQE60013B-B318 SAMSUNG Multi-Chip-Paket-Gedächtnis (MCP)Produkt-technische Spezifikationen EU RoHS Lieferant unbestätigt Teil-Status Aktiv Automobil Nein PPAP Nein Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-03-15 14:43:06
China Datenspeicherung SAMSUNG SMD des Flash-Speicher-KMFN60012B-B214 usine

Datenspeicherung SAMSUNG SMD des Flash-Speicher-KMFN60012B-B214
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KMFN60012B-B214 SAMSUNG Flash-Speicher-Datenspeicherung SMD Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-03-15 14:43:06
China Mikrometer-NAND Based MCP-EU RoHS MT29GZ5A5BPGGA 53IT.87J konform usine

Mikrometer-NAND Based MCP-EU RoHS MT29GZ5A5BPGGA 53IT.87J konform
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MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J Mikrometer NAND-ansässiges MCPProdukt-technische Spezifikationen EU RoHS Konform ECCN (US) 3A991.b.1.a Teil-Status Aktiv HTS 8542.32.00.71 Automobil Nein PPAP Nein Lieferanten-Paket ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-03-15 14:43:06
China MT29TZZZ8D5JKERL--Datenspeicherung 8GB EMMC 8Gb des Flash-Speicher-107W.95E bewegliches MCP LPDDR3 usine

MT29TZZZ8D5JKERL--Datenspeicherung 8GB EMMC 8Gb des Flash-Speicher-107W.95E bewegliches MCP LPDDR3
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MT29TZZZ8D5JKERL--107W.95E Mikrometer 8GB eMMC und MCP 8Gb bewegliches LPDDR3Produkt-technische Spezifikationen EU RoHS Konform ECCN (US) 3A991b.1.a. Teil-Status Veraltet Automobil Nein PPAP Nein Flash-Speicher... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-03-15 14:43:06
China TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba paralleles Nand Flash 1.8V 1G biss 128M x 8 67 Pin VFBGA usine

TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba paralleles Nand Flash 1.8V 1G biss 128M x 8 67 Pin VFBGA
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TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba NAND Flash Parallel 1.8V 1G-bit 128M x 8 67-Pin VFBGAProdukt-technische Spezifikationen EU RoHS Konform ECCN (US) 3A991.b.1.a Teil-Status Aktiv Automobil Unbekanntes PPAP Unbekanntes ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-03-15 14:43:06
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