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Produktdetails:
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Hervorheben: | Toshiba-Ähnlichkeit Nand Flash,Paralleles Nand Flash 1.8V,TC58NYG0S3HBAI6 |
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EU RoHS | Konform |
ECCN (US) | 3A991.b.1.a |
Teil-Status | Aktiv |
Automobil | Unbekanntes |
PPAP | Unbekanntes |
Zellart | NAND |
Chip Density (Stückchen) | 1G |
Architektur | Sectored |
Stiefel-Block | Nein |
Block-Organisation | Symmetrisch |
Adressbus-Breite (Stückchen) | 28 |
Sektor-Größe | 128Kbyte x 1024 |
Seiten-Größe | 2Kbyte |
Zahl von Stückchen/Wort (Stückchen) | 8 |
Zahl von Wörtern | 128M |
Programmierbarkeit | Ja |
Regelungsart | Asynchron |
Maximale Löschen-Zeit (S) | 0.01/Block |
Maximale Programmierzeit (Frau) | 0,7 |
Verfahrenstechnik | CMOS |
Schnittstellen-Art | Parallel |
Minimale Betriebsstoff-Spannung (V) | 1,7 |
Typische Betriebsstoff-Spannung (V) | 1,8 |
Maximale Betriebsstoff-Spannung (V) | 1,95 |
Programmierungsspannung (V) | 1,7 bis 1,95 |
Betriebsstrom (MA) | 30 |
Programm-Strom (MA) | 30 |
Minimale Betriebstemperatur (°C) | -40 |
Normalbetriebshöchsttemperatur (°C) | 85 |
Befehl kompatibel | Nein |
Ecc-Unterstützung | Ja |
Unterstützung des Seitenmodus | Nein |
Lieferanten-Paket | VFBGA |
Pin Count | 67 |
Montage | Oberflächenberg |
Paket-Höhe | 0,7 (maximal) |
Paket-Länge | 8 |
Paket-Breite | 6,5 |
PWB änderte | 67 |
Ansprechpartner: peter
Telefon: +8613211027073