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MOSFET FQB47P06 der hohen Leistung P-Kanal, QFET®, -60 V, -47 A, 26 mΩ, D2PAK
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P-Kanal MOSFET FQB47P06 der hohen Leistung, QFET-®, -60 V, -47 A, 26 mΩ, D2PAK [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen Bauelementen ... Lesen Sie weiter Bestpreis

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MOSFET FQB44N10 der hohen Leistung N-Kanal, QFET®, 100 V, 43,5 A, 52 mΩ, D2PAK
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MOSFET FQB34P10 der hohen Leistung P-Kanal QFET® MOSFET -100V, -33.5A, 60mΩ
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MOSFET -100V, -33.5A, 60mΩ ® Kanal QFET MOSFET FQB34P10 P der hohen Leistung [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen Bauelementen Verkauf ... Lesen Sie weiter Bestpreis

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MOSFET FQB34N20L der hohen Leistung N-Kanal, logischer Zustand, QFET®, 200 V, 31 A, 80 mΩ, D2PAK
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MOSFET FQB34N20 der hohen Leistung N-Kanal, QFET®, 200 V, 31 A, 75 mΩ, D2PAK
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MOSFET FQB33N10L der hohen Leistung N-Kanal, logischer Zustand, QFET®, 100 V, 33 A, 52 mΩ, D2PAK
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MOSFET FQB30N06L der hohen Leistung N-Kanal, logischer Zustand, QFET®, 60 V, 32 A, 35 mΩ, D2PAK
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MOSFET FQB27P06 der hohen Leistung P-Kanal, QFET®, -60 V, -27 A, 70 mΩ, D2PAK
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MOSFET FQB27N25TM_F085 der hohen Leistung N-Kanal UltraFET® 250V, 25.5A, 131mΩ
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MOSFET FQB22P10 der hohen Leistung P-Kanal QFET® MOSFET -100V, -22A, 125mΩ
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