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MOSFET der hohen Leistung

MOSFET der hohen Leistung

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China MOSFET NTLJF4156N der hohen Leistung
 Einzelner N-Kanal-Energie MOSFET und Schottky-Diode 30V 4.6A 70mΩ usine

MOSFET NTLJF4156N der hohen Leistung Einzelner N-Kanal-Energie MOSFET und Schottky-Diode 30V 4.6A 70mΩ
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N-Kanal-Energie MOSFET MOSFET NTLJF4156N der hohen Leistung einzelner und Schottky-Diode 30V 4.6A 70mΩ [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-30 21:34:09
China MOSFET NTLJF3117P der hohen Leistung
 Einzelnes P-Kanal µCool™ mit Schottky-Diode 20V 4.1A 100mΩ usine

MOSFET NTLJF3117P der hohen Leistung Einzelnes P-Kanal µCool™ mit Schottky-Diode 20V 4.1A 100mΩ
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Einzelnes µCool™ P-Kanal MOSFET NTLJF3117P der hohen Leistung mit Schottky-Diode 20V 4.1A 100mΩ [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-30 21:34:09
China MOSFET NTLJD4116N der hohen Leistung
 Doppeln-kanal µCool? ™ 30V 4.6A 70mΩ usine

MOSFET NTLJD4116N der hohen Leistung Doppeln-kanal µCool? ™ 30V 4.6A 70mΩ
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Doppelµcool n-kanal MOSFET NTLJD4116N der hohen Leistung? ™ 30V 4.6A 70mΩ [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen Bauelementen Verkauf ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-30 21:34:09
China MOSFET NTLJD3119C der hohen Leistung
 Ergänzender Energie MOSFET 20V usine

MOSFET NTLJD3119C der hohen Leistung Ergänzender Energie MOSFET 20V
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Ergänzender MOSFET 20V Energie MOSFET NTLJD3119C der hohen Leistung [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen Bauelementen Verkauf und ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-30 21:34:09
China MOSFET NTLJD3115P der hohen Leistung
 Doppelp-kanal-Energie MOSFET -20V -4.1A 100mΩ usine

MOSFET NTLJD3115P der hohen Leistung Doppelp-kanal-Energie MOSFET -20V -4.1A 100mΩ
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P-kanal-Energie MOSFET -20V -4.1A 100mΩ MOSFET NTLJD3115P der hohen Leistung Doppel [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen Bauelementen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-30 21:34:09
China MOSFET NTK3139P der hohen Leistung
 Einzelnes P−Channel mit ESD-Schutz -20V -780mA 480mΩ usine

MOSFET NTK3139P der hohen Leistung Einzelnes P−Channel mit ESD-Schutz -20V -780mA 480mΩ
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MOSFET NTK3139P einzelnes P−Channel der hohen Leistung mit ESD-Schutz -20V -780mA 480mΩ [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-30 21:34:09
China MOSFET NTK3134N der hohen Leistung
 Einzelnes N−Channel mit ESD-Schutz 20V 890 MA 350 mΩ usine

MOSFET NTK3134N der hohen Leistung Einzelnes N−Channel mit ESD-Schutz 20V 890 MA 350 mΩ
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MOSFET NTK3134N einzelnes N−Channel der hohen Leistung mit ESD-Schutz 20V 890 MA 350 mΩ [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-30 21:34:09
China MOSFET NTK3043N der hohen Leistung
 Einzelner N-Kanal mit ESD-Schutz 20V 285mA 3.4Ω usine

MOSFET NTK3043N der hohen Leistung Einzelner N-Kanal mit ESD-Schutz 20V 285mA 3.4Ω
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Einzelner N-Kanal MOSFET NTK3043N der hohen Leistung mit ESD-Schutz 20V 285mA 3.4Ω [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen Bauelementen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-30 21:34:09
China MOSFET NTJS4405N der hohen Leistung
 Einzelner N-Kanal differenzieller MOSFET 25V 1.2A 350mΩ usine

MOSFET NTJS4405N der hohen Leistung Einzelner N-Kanal differenzieller MOSFET 25V 1.2A 350mΩ
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N-Kanal MOSFET NTJS4405N der hohen Leistung einzelner differenzieller MOSFET 25V 1.2A 350mΩ [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-30 21:34:09
China MOSFET NTJS4151P der hohen Leistung
 Einzelner P−Channel-Graben 20V 4.2A 60mΩ usine

MOSFET NTJS4151P der hohen Leistung Einzelner P−Channel-Graben 20V 4.2A 60mΩ
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Einzelner P−Channel der hohen Leistung Graben 20V 4.2A 60mΩ MOSFET NTJS4151P [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen Bauelementen Verkauf ... Lesen Sie weiter Bestpreis
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