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Referenzen - Email
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MOSFET NTMD6N02 der hohen Leistung
Doppeln-kanal-Anreicherungstyp 20V, 6.5A, 35mΩ
2022-05-30 21:34:10
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MOSFET NTMD5838NL der hohen Leistung
mOhm 40V 8.9A 20 Doppellogischer zustand n-kanal-SO-8
2022-05-30 21:34:10
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MOSFET NTMD4N03 der hohen Leistung
mOhm 30V 4A 60 Doppeln-kanal S0-8
2022-05-30 21:34:10
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MOSFET NTMD3P03 der hohen Leistung
Doppelp-kanal-Energie MOSFET -30V, -3.05A, 85mΩ
2022-05-30 21:34:10
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MOSFET NTMC083NP10M5L der hohen Leistung
Doppeln u. P-Kanal, SO8
2022-05-30 21:34:09
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MOSFET NTLUS4C16N der hohen Leistung
Einzelnes N-Kanal-Energie µCool™ 30V, 9.4A, 11.4mΩ, UDFN6
2022-05-30 21:34:09
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MOSFET NTLUS3A40P der hohen Leistung
Einzelnes P-Kanal µCool™ mit ESD-Schutz -20V -9.4A 29mΩ
2022-05-30 21:34:09
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MOSFET NTLUS3A18PZ der hohen Leistung
Einzelner P-Kanal mit ESD-Schutz -20V -8.2A 18mΩ
2022-05-30 21:34:09
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MOSFET NTLUS030N03C der hohen Leistung
N-Kanal, 30V, 21mΩ, UDFN
2022-05-30 21:34:09
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MOSFET NTLUS020N03C der hohen Leistung
N-Kanal 30V 15mΩ, UDFN
2022-05-30 21:34:09
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