Intergrate-multiprodukte, voller Stadiumsservice,
Steuerung der hohen Qualität, Kundenanforderung fullfillment

Vertrieb & Support
Referenzen - Email

Select Language

English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish

Haus
Produkte
Über uns
Fabrik-Ausflug
Qualitätskontrolle
Treten Sie mit uns in Verbindung
Referenzen

Categories: Alle Kategorien

Crystal Electronic Component

Elektronische Dioden und Transistoren

Mikroregler-Einheit MCU

Flash-Speicher-Datenspeicherung

PWB-Leiterplatten-Verbinder

SMD-integrierte Schaltung

Elektronisches Modul Digital

MOSFET der hohen Leistung

Optoelektronik LED

Passive elektronische Bauelemente

Flexible gedruckte Schaltung Fpc

PWB-Versammlungs-Service

Elektronisches Digitalanzeigen-Brett

Signal-Leistungsrelais

SMD-Dip-Schalter

Entwickler-Werkzeuge

UL-Drahtseil

Elektronisches Bauelement-Sensoren

Schleifringversammlungen

Startseite Produkte

MOSFET der hohen Leistung

Alle Produkte

Crystal Electronic Component (67)

Elektronische Dioden und Transistoren (26)

Mikroregler-Einheit MCU (33)

Flash-Speicher-Datenspeicherung (20)

PWB-Leiterplatten-Verbinder (21)

SMD-integrierte Schaltung (159)

Elektronisches Modul Digital (6)

MOSFET der hohen Leistung (2119)

Optoelektronik LED (21)

Passive elektronische Bauelemente (21)

Flexible gedruckte Schaltung Fpc (6)

PWB-Versammlungs-Service (2)

Elektronisches Digitalanzeigen-Brett (6)

Signal-Leistungsrelais (12)

SMD-Dip-Schalter (25)

Entwickler-Werkzeuge (6)

UL-Drahtseil (2)

Elektronisches Bauelement-Sensoren (20)

Schleifringversammlungen (13)

Ich bin online Chat Jetzt

ITS4200SSJDXUMA1 Schalter 1 der integrierten Schaltungen IC IN 1 AUS 6V zu 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Si 20V 3.7A 3 MOSFET P-CH IRLML6402TRPBF-hoher Leistung Pin SOT-23 T/R

IRLML6401TRPBF Infineon Si 12V 4.3A 3 Mosfet P Ch Pin SOT-23 T/R

Si 30V 1.2A 3 MOSFET N-CH IRLML2803TRPBF-hoher Leistung Pin SOT-23 T/R

Si 75V 350A 3 Kanal MOSFET N Energie IRFP4368PbF Infineon Rohr Pin TO-247AC

1 2 3 4 5

MOSFET der hohen Leistung

(2119)

MOSFET FDG6332C der hohen Leistung 20V N u. P - Kanal PowerTrench® MOSFET
Kontakt

MOSFET FDG6332C 20V N der hohen Leistung u. P - Kanal PowerTrench-® MOSFET [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen Bauelementen Verkauf ... Lesen Sie weiter Bestpreis

2022-05-30 22:16:10

MOSFET FDG6322C der hohen Leistung Doppeln- u. p-Kanal-Digital FET 25V
Kontakt

MOSFET FDG6322C Doppeln- der hohen Leistung u. p-Kanal-Digital FET 25V [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen Bauelementen Verkauf und ... Lesen Sie weiter Bestpreis

2022-05-30 22:16:10

MOSFET FDG6321C der hohen Leistung Doppeln- u. p-Kanal-Digital FET 25V
Kontakt

MOSFET FDG6321C Doppeln- der hohen Leistung u. p-Kanal-Digital FET 25V [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen Bauelementen Verkauf und ... Lesen Sie weiter Bestpreis

2022-05-30 22:16:09

MOSFET FDG6317NZ der hohen Leistung Doppel-N-Kanal 20V PowerTrench® MOSFET, 0,7 A, mΩ 400
Kontakt

PowerTrench® N-Kanal 20V MOSFET FDG6317NZ der hohen Leistung Doppel-MOSFET, 0,7 A, mΩ 400 [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen ... Lesen Sie weiter Bestpreis

2022-05-30 22:16:09

MOSFET FDG6316P der hohen Leistung P-Kanal 1.8V spezifizierte PowerTrench® MOSFET -12V, -0,7 A, mΩ 270
Kontakt

P-Kanal 1.8V MOSFET FDG6316P der hohen Leistung spezifizierte PowerTrench-® MOSFET -12V, -0,7 A, mΩ 270 [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und ... Lesen Sie weiter Bestpreis

2022-05-30 22:16:09

MOSFET FDG6308P der hohen Leistung Doppelp-kanal 1.8V spezifizierte PowerTrench® MOSFET -20 V, -0,6 A, mΩ 400
Kontakt

Doppelp-kanal 1.8V MOSFET FDG6308P der hohen Leistung spezifizierte PowerTrench-® MOSFET -20 V, -0,6 A, mΩ 400 [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und ... Lesen Sie weiter Bestpreis

2022-05-30 22:16:09

MOSFET FDG6306P der hohen Leistung P-Kanal 2.5V spezifizierte PowerTrench® MOSFET -20 V, -0,6 A, mΩ 420
Kontakt

P-Kanal 2.5V MOSFET FDG6306P der hohen Leistung spezifizierte PowerTrench-® MOSFET -20 V, -0,6 A, mΩ 420 [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und ... Lesen Sie weiter Bestpreis

2022-05-30 22:16:09

Page 6 of 212|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|

Über uns

Über uns

Fabrik-Ausflug

Qualitätskontrolle

SMD-integrierte Schaltung

CC2541F256RHAR-TI-Rf-Transceiver IC TXRX MCU BLE 5,0 40VQFN

ATMEGA328P-AU MIKROCHIP MCU 8-Bit-AVR RISC 32KB greller 2.5V/3.3V/5V 32-Pin TQFP Behälter

TI TPS92662AQPHPRQ1 Fahrer hoher Helligkeits-LED tauchen Berg 48 Pin auf

Flash-Speicher-Datenspeicherung

Stückchen 8 der Datenspeicherung EEPROM I2C 256K des Flash-Speicher-24LC256T-E/SN Pin SOIC N T/R

Ball MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F MIKROMETER Nand Flash With Mobiles LPDDR2 162 MCP

M24M01-RMN6TP Flash-Speicher-Datenspeicherung Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit

Mikroregler-Einheit MCU

STM8S003F3P6TR St.-Mikroregler-Einheit MCU 8 gebissenes STM8 3.3V/5V 20-Pin TSSOP T/R

MSP430G2211IPW14R-TI Mikroregler-Einheit MCU 16 gebissenes MSP430 2.5V/3.3V 14-Pin TSSOP T/R

Mikroregler-Einheit MCU 32 St.-STM32F030CCT6 biss Blitz des ARM Cortex-M0 RISC 256KB

Treten Sie mit uns in Verbindung

Treten Sie mit uns in Verbindung

Fordern Sie ein Zitat

E-Mail

Sitemap

Mobile Seite

MOSFET der hohen Leistung

ITS4200SSJDXUMA1 Schalter 1 der integrierten Schaltungen IC IN 1 AUS 6V zu 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Si 20V 3.7A 3 MOSFET P-CH IRLML6402TRPBF-hoher Leistung Pin SOT-23 T/R

IRLML6401TRPBF Infineon Si 12V 4.3A 3 Mosfet P Ch Pin SOT-23 T/R

Si 30V 1.2A 3 MOSFET N-CH IRLML2803TRPBF-hoher Leistung Pin SOT-23 T/R

Si 75V 350A 3 Kanal MOSFET N Energie IRFP4368PbF Infineon Rohr Pin TO-247AC

MOSFET der hohen Leistung

MOSFET FDG6332C der hohen Leistung 20V N u. P - Kanal PowerTrench<sup>®</sup> MOSFET
Kontakt

MOSFET FDG6322C der hohen Leistung Doppeln- u. p-Kanal-Digital FET 25V
Kontakt

MOSFET FDG6321C der hohen Leistung Doppeln- u. p-Kanal-Digital FET 25V
Kontakt

MOSFET FDG6317NZ der hohen Leistung Doppel-N-Kanal 20V PowerTrench® MOSFET, 0,7 A, mΩ 400
Kontakt

MOSFET FDG6316P der hohen Leistung P-Kanal 1.8V spezifizierte PowerTrench<sup>®</sup> MOSFET -12V, -0,7 A, mΩ 270
Kontakt

MOSFET FDG6308P der hohen Leistung Doppelp-kanal 1.8V spezifizierte PowerTrench<sup>®</sup> MOSFET -20 V, -0,6 A, mΩ 400
Kontakt

MOSFET FDG6306P der hohen Leistung P-Kanal 2.5V spezifizierte PowerTrench<sup>®</sup> MOSFET -20 V, -0,6 A, mΩ 420
Kontakt

MOSFET FDG6304P der hohen Leistung Doppelp-kanal-Digital FET -25V, 0.41A, 1.1Ω
Kontakt

MOSFET FDG6303N der hohen Leistung Doppeln-kanal-Digital FET 25V, 0.50A, 0.45Ω
Kontakt

MOSFET FDG6301N der hohen Leistung Doppeln-kanal-Digital FET 25 V, 0,22 A, 4 Ω
Kontakt

MOSFET der hohen Leistung

ITS4200SSJDXUMA1 Schalter 1 der integrierten Schaltungen IC IN 1 AUS 6V zu 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Si 20V 3.7A 3 MOSFET P-CH IRLML6402TRPBF-hoher Leistung Pin SOT-23 T/R

IRLML6401TRPBF Infineon Si 12V 4.3A 3 Mosfet P Ch Pin SOT-23 T/R

Si 30V 1.2A 3 MOSFET N-CH IRLML2803TRPBF-hoher Leistung Pin SOT-23 T/R

Si 75V 350A 3 Kanal MOSFET N Energie IRFP4368PbF Infineon Rohr Pin TO-247AC

MOSFET der hohen Leistung

MOSFET FDG6332C der hohen Leistung 20V N u. P - Kanal PowerTrench<sup>®</sup> MOSFET Kontakt

MOSFET FDG6322C der hohen Leistung Doppeln- u. p-Kanal-Digital FET 25V Kontakt

MOSFET FDG6321C der hohen Leistung Doppeln- u. p-Kanal-Digital FET 25V Kontakt

MOSFET FDG6317NZ der hohen Leistung Doppel-N-Kanal 20V PowerTrench® MOSFET, 0,7 A, mΩ 400 Kontakt

MOSFET FDG6316P der hohen Leistung P-Kanal 1.8V spezifizierte PowerTrench<sup>®</sup> MOSFET -12V, -0,7 A, mΩ 270 Kontakt

MOSFET FDG6308P der hohen Leistung Doppelp-kanal 1.8V spezifizierte PowerTrench<sup>®</sup> MOSFET -20 V, -0,6 A, mΩ 400 Kontakt

MOSFET FDG6306P der hohen Leistung P-Kanal 2.5V spezifizierte PowerTrench<sup>®</sup> MOSFET -20 V, -0,6 A, mΩ 420 Kontakt

MOSFET FDG6304P der hohen Leistung Doppelp-kanal-Digital FET -25V, 0.41A, 1.1Ω Kontakt

MOSFET FDG6303N der hohen Leistung Doppeln-kanal-Digital FET 25V, 0.50A, 0.45Ω Kontakt

MOSFET FDG6301N der hohen Leistung Doppeln-kanal-Digital FET 25 V, 0,22 A, 4 Ω Kontakt

MOSFET FDG6332C der hohen Leistung 20V N u. P - Kanal PowerTrench<sup>®</sup> MOSFET
Kontakt

MOSFET FDG6322C der hohen Leistung Doppeln- u. p-Kanal-Digital FET 25V
Kontakt

MOSFET FDG6321C der hohen Leistung Doppeln- u. p-Kanal-Digital FET 25V
Kontakt

MOSFET FDG6317NZ der hohen Leistung Doppel-N-Kanal 20V PowerTrench® MOSFET, 0,7 A, mΩ 400
Kontakt

MOSFET FDG6316P der hohen Leistung P-Kanal 1.8V spezifizierte PowerTrench<sup>®</sup> MOSFET -12V, -0,7 A, mΩ 270
Kontakt

MOSFET FDG6308P der hohen Leistung Doppelp-kanal 1.8V spezifizierte PowerTrench<sup>®</sup> MOSFET -20 V, -0,6 A, mΩ 400
Kontakt

MOSFET FDG6306P der hohen Leistung P-Kanal 2.5V spezifizierte PowerTrench<sup>®</sup> MOSFET -20 V, -0,6 A, mΩ 420
Kontakt

MOSFET FDG6304P der hohen Leistung Doppelp-kanal-Digital FET -25V, 0.41A, 1.1Ω
Kontakt

MOSFET FDG6303N der hohen Leistung Doppeln-kanal-Digital FET 25V, 0.50A, 0.45Ω
Kontakt

MOSFET FDG6301N der hohen Leistung Doppeln-kanal-Digital FET 25 V, 0,22 A, 4 Ω
Kontakt