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MOSFET FDN358P der hohen Leistung Einzelner MOSFET -30V, -1.5A, 125mΩ des P-Kanal-logischen Zustandes PowerTrench®
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Des P-Kanal-logischen Zustandes MOSFET FDN358P der hohen Leistung einzelner PowerTrench-® MOSFET -30V, -1.5A, 125mΩ [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten ... Lesen Sie weiter Bestpreis

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MOSFET FDN357N der hohen Leistung Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor 30V, 1.9A, 90mΩ des N-Kanal-logischen Zustandes
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MOSFET FDN352AP der hohen Leistung Einzelner P-Kanal PowerTrench® MOSFET -30V, -1.3A, 180mΩ
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MOSFET FDN342P der hohen Leistung P-Kanal 2.5V spezifizierte PowerTrench® MOSFET -20V, -2A, 80mΩ
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MOSFET FDN340P der hohen Leistung Einzelner MOSFET -20V, -2A, 70mΩ des P-Kanal-logischen Zustandes PowerTrench®
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MOSFET FDN339AN der hohen Leistung N-Kanal 2.5V spezifizierte PowerTrench® MOSFET20V, 3A, 35mΩ
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MOSFET FDN338P der hohen Leistung P-Kanal 2.5V spezifizierte PowerTrench® MOSFET -20V, -1.6A, 115mΩ
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MOSFET FDN337N der hohen Leistung Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor 30V, 2.2A, 65mΩ des N-Kanal-logischen Zustandes
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MOSFET FDN336P der hohen Leistung Einzelner MOSFET -20V, -1.3A, 200mΩ des P-Kanal-logischen Zustandes PowerTrench®
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