Intergrate-multiprodukte, voller Stadiumsservice,
Steuerung der hohen Qualität, Kundenanforderung fullfillment

Vertrieb & Support
Referenzen - Email

Select Language

English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish

Haus
Produkte
Über uns
Fabrik-Ausflug
Qualitätskontrolle
Treten Sie mit uns in Verbindung
Referenzen

Categories: Alle Kategorien

Crystal Electronic Component

Elektronische Dioden und Transistoren

Mikroregler-Einheit MCU

Flash-Speicher-Datenspeicherung

PWB-Leiterplatten-Verbinder

SMD-integrierte Schaltung

Elektronisches Modul Digital

MOSFET der hohen Leistung

Optoelektronik LED

Passive elektronische Bauelemente

Flexible gedruckte Schaltung Fpc

PWB-Versammlungs-Service

Elektronisches Digitalanzeigen-Brett

Signal-Leistungsrelais

SMD-Dip-Schalter

Entwickler-Werkzeuge

UL-Drahtseil

Elektronisches Bauelement-Sensoren

Schleifringversammlungen

Startseite Produkte

MOSFET der hohen Leistung

Alle Produkte

Crystal Electronic Component (67)

Elektronische Dioden und Transistoren (26)

Mikroregler-Einheit MCU (33)

Flash-Speicher-Datenspeicherung (20)

PWB-Leiterplatten-Verbinder (21)

SMD-integrierte Schaltung (159)

Elektronisches Modul Digital (6)

MOSFET der hohen Leistung (2119)

Optoelektronik LED (21)

Passive elektronische Bauelemente (21)

Flexible gedruckte Schaltung Fpc (6)

PWB-Versammlungs-Service (2)

Elektronisches Digitalanzeigen-Brett (6)

Signal-Leistungsrelais (12)

SMD-Dip-Schalter (25)

Entwickler-Werkzeuge (6)

UL-Drahtseil (2)

Elektronisches Bauelement-Sensoren (20)

Schleifringversammlungen (13)

Ich bin online Chat Jetzt

ITS4200SSJDXUMA1 Schalter 1 der integrierten Schaltungen IC IN 1 AUS 6V zu 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Si 20V 3.7A 3 MOSFET P-CH IRLML6402TRPBF-hoher Leistung Pin SOT-23 T/R

IRLML6401TRPBF Infineon Si 12V 4.3A 3 Mosfet P Ch Pin SOT-23 T/R

Si 30V 1.2A 3 MOSFET N-CH IRLML2803TRPBF-hoher Leistung Pin SOT-23 T/R

Si 75V 350A 3 Kanal MOSFET N Energie IRFP4368PbF Infineon Rohr Pin TO-247AC

1 2 3 4 5

MOSFET der hohen Leistung

(2119)

N-Kanal 80 V 6,2 MOSFET NVMYS006N08LH der hohen Leistung einzelnes mΩ 77 A
Kontakt

Einzelner N-Kanal 80 V, 6,2 mΩ, 77 A MOSFET NVMYS006N08LH der hohen Leistung [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen Bauelementen Verkauf ... Lesen Sie weiter Bestpreis

2022-05-26 15:40:14

Hochleistungs-MOSFET NVMYS008N08LH Einzelner N-Kanal 80 V 8,8 mΩ 59 A
Kontakt

Hochleistungs-MOSFET NVMYS008N08LH Einzelner N-Kanal 80 V 8,8 mΩ 59 A [WhÖ wir sind?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd konzentriert sich seit mehr als 10 Jahren auf die Beschaffung von Halbleitern und ... Lesen Sie weiter Bestpreis

2022-05-26 15:31:29

MOSFET NVMYS003N08LH der hohen Leistung Einzelner N-Kanal 80 V, 3,3 mΩ, 132 A
Kontakt

Einzelner N-Kanal 80 V, 3,3 mΩ, 132 A MOSFET NVMYS003N08LH der hohen Leistung [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen Bauelementen ... Lesen Sie weiter Bestpreis

2022-05-26 15:31:28

MOSFET NVMTSC4D3N15MC der hohen Leistung Einzelner N-Kanal-Energie MOSFET 150V, 165A, 4.45mΩ
Kontakt

N-Kanal-Energie MOSFET 150V, 165A, 4.45mΩ MOSFET NVMTSC4D3N15MC der hohen Leistung einzelner [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen ... Lesen Sie weiter Bestpreis

2022-05-26 15:31:28

MOSFET NVMTSC1D3N08M7 der hohen Leistung Energie MOSFET 80V, 348 A, 1.25mΩ, einzelner N-Kanal
Kontakt

Hochleistungs-MOSFET NVMTSC1D3N08M7 Leistungs-MOSFET 80 V, 348 A, 1,25 mΩ, einzelner N-Kanal [WhÖ wir sind?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd konzentriert sich seit mehr als 10 Jahren auf die Beschaffung ... Lesen Sie weiter Bestpreis

2022-05-26 15:31:28

MOSFET NVMTS4D3N15MC der hohen Leistung Einzelner N-Kanal-Energie MOSFET 000V 000A, 0.0mΩ
Kontakt

Hochleistungs-MOSFET NVMTS4D3N15MC Einzelner N-Kanal-Leistungs-MOSFET 000 V 000 A, 0,0 mΩ [WhÖ wir sind?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd konzentriert sich seit mehr als 10 Jahren auf die Beschaffung ... Lesen Sie weiter Bestpreis

2022-05-26 15:31:28

Hochleistungs-MOSFET NVMTS1D6N10MC Einzelner N-Kanal-Leistungs-MOSFET 100 V, 273 A, 1,7 mΩ
Kontakt

Hochleistungs-MOSFET NVMTS1D6N10MC Einzelner N-Kanal-Leistungs-MOSFET 100 V, 273 A, 1,7 mΩ [WhÖ wir sind?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd konzentriert sich seit mehr als 10 Jahren auf die Beschaffung ... Lesen Sie weiter Bestpreis

2022-05-26 15:31:27

Hochleistungs-MOSFET NVMTS1D5N08H MOSFET - Leistung, einzelner N-Kanal, 80 V, 1,4 mΩ , 273 A
Kontakt

MOSFET NVMTS1D5N08H der hohen Leistung MOSFET - Energie, einzelner N-Kanal, 80 V, mΩ 1,4? , 273 A [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen ... Lesen Sie weiter Bestpreis

2022-05-26 15:31:27

MOSFET NVMTS1D2N08H der hohen Leistung Einzelner N-Kanal-Energie MOSFET 80V, 337A, 1.1mΩ
Kontakt

Hochleistungs-MOSFET NVMTS1D2N08H Einzelner N-Kanal-Leistungs-MOSFET 80 V, 337 A, 1,1 mΩ [WhÖ wir sind?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd konzentriert sich seit mehr als 10 Jahren auf die Beschaffung von ... Lesen Sie weiter Bestpreis

2022-05-26 15:31:27

MOSFET NVMTS1D1N04C der hohen Leistung Energie MOSFET 40V, 1,1 mΩ, 277 A, einzelnes N−Channel
Kontakt

MOSFET 40V, 1,1 mΩ, 277 A, einzelnes N−Channel Energie MOSFET NVMTS1D1N04C der hohen Leistung [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen ... Lesen Sie weiter Bestpreis

2022-05-26 15:31:27

Page 178 of 212|< << 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 >> >|

Über uns

Über uns

Fabrik-Ausflug

Qualitätskontrolle

SMD-integrierte Schaltung

CC2541F256RHAR-TI-Rf-Transceiver IC TXRX MCU BLE 5,0 40VQFN

ATMEGA328P-AU MIKROCHIP MCU 8-Bit-AVR RISC 32KB greller 2.5V/3.3V/5V 32-Pin TQFP Behälter

TI TPS92662AQPHPRQ1 Fahrer hoher Helligkeits-LED tauchen Berg 48 Pin auf

Flash-Speicher-Datenspeicherung

Stückchen 8 der Datenspeicherung EEPROM I2C 256K des Flash-Speicher-24LC256T-E/SN Pin SOIC N T/R

Ball MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F MIKROMETER Nand Flash With Mobiles LPDDR2 162 MCP

M24M01-RMN6TP Flash-Speicher-Datenspeicherung Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit

Mikroregler-Einheit MCU

STM8S003F3P6TR St.-Mikroregler-Einheit MCU 8 gebissenes STM8 3.3V/5V 20-Pin TSSOP T/R

MSP430G2211IPW14R-TI Mikroregler-Einheit MCU 16 gebissenes MSP430 2.5V/3.3V 14-Pin TSSOP T/R

Mikroregler-Einheit MCU 32 St.-STM32F030CCT6 biss Blitz des ARM Cortex-M0 RISC 256KB

Treten Sie mit uns in Verbindung

Treten Sie mit uns in Verbindung

Fordern Sie ein Zitat

E-Mail

Sitemap

Mobile Seite

MOSFET der hohen Leistung

ITS4200SSJDXUMA1 Schalter 1 der integrierten Schaltungen IC IN 1 AUS 6V zu 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Si 20V 3.7A 3 MOSFET P-CH IRLML6402TRPBF-hoher Leistung Pin SOT-23 T/R

IRLML6401TRPBF Infineon Si 12V 4.3A 3 Mosfet P Ch Pin SOT-23 T/R

Si 30V 1.2A 3 MOSFET N-CH IRLML2803TRPBF-hoher Leistung Pin SOT-23 T/R

Si 75V 350A 3 Kanal MOSFET N Energie IRFP4368PbF Infineon Rohr Pin TO-247AC

MOSFET der hohen Leistung

N-Kanal 80 V 6,2 MOSFET NVMYS006N08LH der hohen Leistung einzelnes mΩ 77 A Kontakt

Hochleistungs-MOSFET NVMYS008N08LH Einzelner N-Kanal 80 V 8,8 mΩ 59 A Kontakt

MOSFET NVMYS003N08LH der hohen Leistung Einzelner N-Kanal 80 V, 3,3 mΩ, 132 A Kontakt

MOSFET NVMTSC4D3N15MC der hohen Leistung Einzelner N-Kanal-Energie MOSFET 150V, 165A, 4.45mΩ Kontakt

MOSFET NVMTSC1D3N08M7 der hohen Leistung Energie MOSFET 80V, 348 A, 1.25mΩ, einzelner N-Kanal Kontakt

MOSFET NVMTS4D3N15MC der hohen Leistung Einzelner N-Kanal-Energie MOSFET 000V 000A, 0.0mΩ Kontakt

Hochleistungs-MOSFET NVMTS1D6N10MC Einzelner N-Kanal-Leistungs-MOSFET 100 V, 273 A, 1,7 mΩ Kontakt

Hochleistungs-MOSFET NVMTS1D5N08H MOSFET - Leistung, einzelner N-Kanal, 80 V, 1,4 mΩ , 273 A Kontakt

MOSFET NVMTS1D2N08H der hohen Leistung Einzelner N-Kanal-Energie MOSFET 80V, 337A, 1.1mΩ Kontakt

MOSFET NVMTS1D1N04C der hohen Leistung Energie MOSFET 40V, 1,1 mΩ, 277 A, einzelnes N−Channel Kontakt

N-Kanal 80 V 6,2 MOSFET NVMYS006N08LH der hohen Leistung einzelnes mΩ 77 A
Kontakt

Hochleistungs-MOSFET NVMYS008N08LH Einzelner N-Kanal 80 V 8,8 mΩ 59 A
Kontakt

MOSFET NVMYS003N08LH der hohen Leistung Einzelner N-Kanal 80 V, 3,3 mΩ, 132 A
Kontakt

MOSFET NVMTSC4D3N15MC der hohen Leistung Einzelner N-Kanal-Energie MOSFET 150V, 165A, 4.45mΩ
Kontakt

MOSFET NVMTSC1D3N08M7 der hohen Leistung Energie MOSFET 80V, 348 A, 1.25mΩ, einzelner N-Kanal
Kontakt

MOSFET NVMTS4D3N15MC der hohen Leistung Einzelner N-Kanal-Energie MOSFET 000V 000A, 0.0mΩ
Kontakt

Hochleistungs-MOSFET NVMTS1D6N10MC Einzelner N-Kanal-Leistungs-MOSFET 100 V, 273 A, 1,7 mΩ
Kontakt

Hochleistungs-MOSFET NVMTS1D5N08H MOSFET - Leistung, einzelner N-Kanal, 80 V, 1,4 mΩ , 273 A
Kontakt

MOSFET NVMTS1D2N08H der hohen Leistung Einzelner N-Kanal-Energie MOSFET 80V, 337A, 1.1mΩ
Kontakt

MOSFET NVMTS1D1N04C der hohen Leistung Energie MOSFET 40V, 1,1 mΩ, 277 A, einzelnes N−Channel
Kontakt