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ITS4200SSJDXUMA1 Schalter 1 der integrierten Schaltungen IC IN 1 AUS 6V zu 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
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Si 20V 3.7A 3 MOSFET P-CH IRLML6402TRPBF-hoher Leistung Pin SOT-23 T/R
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IRLML6401TRPBF Infineon Si 12V 4.3A 3 Mosfet P Ch Pin SOT-23 T/R
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Si 30V 1.2A 3 MOSFET N-CH IRLML2803TRPBF-hoher Leistung Pin SOT-23 T/R
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Si 75V 350A 3 Kanal MOSFET N Energie IRFP4368PbF Infineon Rohr Pin TO-247AC
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MOSFET der hohen Leistung

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China MOSFET NVMD3P03 der hohen Leistung Doppelp-kanal-Energie MOSFET 30V 3.05A 85mΩ usine

MOSFET NVMD3P03 der hohen Leistung Doppelp-kanal-Energie MOSFET 30V 3.05A 85mΩ
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P-kanal-Energie MOSFET 30V 3.05A 85mΩ MOSFET NVMD3P03 der hohen Leistung Doppel [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen Bauelementen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-26 17:53:22
China MOSFET NVLUS4C12N der hohen Leistung Einzelner N−Channel-µCool™ Energie MOSFET 30V 10.7A 9mΩ usine

MOSFET NVLUS4C12N der hohen Leistung Einzelner N−Channel-µCool™ Energie MOSFET 30V 10.7A 9mΩ
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Einzelner N−Channel der hohen Leistung MOSFET 30V 10.7A 9mΩ Energie µCool™ MOSFET NVLUS4C12N [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-26 17:53:22
China MOSFET NVLUD4C26N der hohen Leistung Doppeln-kanal-Energie MOSFET 30V 8.7A 21mΩ usine

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Hochleistungs-MOSFET NVLUD4C26N Dualer N-Kanal-Leistungs-MOSFET 30 V 8,7 A 21 mΩ [WhÖ wir sind?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd konzentriert sich seit mehr als 10 Jahren auf die Beschaffung von ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-26 17:53:22
China MOSFET NVLJWS6D0N04CL der hohen Leistung Einzelner N−Channel-µCool™ Energie MOSFET 40V 68A 5mΩ usine

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Einzelner N−Channel der hohen Leistung MOSFET 40V 68A 5mΩ Energie µCool™ MOSFET NVLJWS6D0N04CL [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-26 17:53:21
China Hochleistungs-MOSFET NVLJWS022N06CL Einzelner N−Kanal µCool™ Leistungs-MOSFET 60 V 25 A 21 mΩ usine

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Hochleistungs-MOSFET NVLJWS022N06CL Einzelner N-Kanal µCool™ Leistungs-MOSFET 60 V 25 A 21 mΩ [WhÖ wir sind?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd konzentriert sich seit mehr als 10 Jahren auf die Beschaffun... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-26 17:53:21
China MOSFET NVLJWS011N06CL der hohen Leistung Einzelner Energie N−Channel wDFNW6 MOSFET 60 V 48 ein 9mΩ usine

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Hochleistungs-MOSFET NVLJWS011N06CL Einzelner N−Kanal wDFNW6 Leistungs-MOSFET 60 V 48 A 9 mΩ [WhÖ wir sind?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd konzentriert sich seit mehr als 10 Jahren auf die Beschaffung ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-26 17:53:21
China MOSFET NVLJWS011N04CL der hohen Leistung Einzelner N−Channel-µCool™ Energie MOSFET 40V 37A 11mΩ usine

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Einzelner N−Channel der hohen Leistung MOSFET 40V 37A 11mΩ Energie µCool™ MOSFET NVLJWS011N04CL [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-26 17:53:21
China MOSFET NVLJS053N12MCL der hohen Leistung Abgeschirmtes Tor PowerTrench<sup>®</sup> 120 V 53 mΩ 4,5 A usine

MOSFET NVLJS053N12MCL der hohen Leistung Abgeschirmtes Tor PowerTrench<sup>®</sup> 120 V 53 mΩ 4,5 A
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MOSFET NVLJS053N12MCL der hohen Leistung schirmte Tor PowerTrench-® 120 V 53 mΩ 4,5 A ab [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-26 17:53:21
China MOSFET NVJS4405N der hohen Leistung Einzelner N-Kanal differenzieller MOSFET 25V 1.2A 350mΩ usine

MOSFET NVJS4405N der hohen Leistung Einzelner N-Kanal differenzieller MOSFET 25V 1.2A 350mΩ
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N-Kanal MOSFET NVJS4405N der hohen Leistung einzelner differenzieller MOSFET 25V 1.2A 350mΩ [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-26 17:53:20
China MOSFET NVJS4151P der hohen Leistung Einzelner P−Channel-Graben-Energie MOSFET -20V -4.1A 67mΩ usine

MOSFET NVJS4151P der hohen Leistung Einzelner P−Channel-Graben-Energie MOSFET -20V -4.1A 67mΩ
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Graben-Energie MOSFET -20V -4.1A 67mΩ MOSFET NVJS4151P einzelner P−Channel der hohen Leistung [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-26 17:53:20
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