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MOSFET der hohen Leistung

MOSFET der hohen Leistung

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China MOSFET NTB004N10G der hohen Leistung
 201Amps 100 des N-Kanal-Volt Anreicherungstyp-D<sup>2</sup>PAK usine

MOSFET NTB004N10G der hohen Leistung 201Amps 100 des N-Kanal-Volt Anreicherungstyp-D<sup>2</sup>PAK
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MOSFET NTB004N10G 201Amps der hohen Leistung 100 des N-Kanal-Volt Anreicherungstyp-D2 PAK [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-30 21:42:13
China MOSFET NTA7002N der hohen Leistung
 Einzelner N-Kanal-Tor ESD-Schutz 30V 154mA 7Ω usine

MOSFET NTA7002N der hohen Leistung Einzelner N-Kanal-Tor ESD-Schutz 30V 154mA 7Ω
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N-Kanal-Tor ESD-Schutz 30V 154mA 7Ω MOSFET NTA7002N der hohen Leistung einzelner [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen Bauelementen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-30 21:42:13
China MOSFET NTA4153N der hohen Leistung
 Einzelner N-Kanal mit ESD-Schutz 20V 915mA 230mΩ usine

MOSFET NTA4153N der hohen Leistung Einzelner N-Kanal mit ESD-Schutz 20V 915mA 230mΩ
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Einzelner N-Kanal MOSFET NTA4153N der hohen Leistung mit ESD-Schutz 20V 915mA 230mΩ [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen Bauelementen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-30 21:42:13
China MOSFET NTA4151P der hohen Leistung
 Einzelnes P-Kanal-Tor Zener 20V 760mA 360mΩ usine

MOSFET NTA4151P der hohen Leistung Einzelnes P-Kanal-Tor Zener 20V 760mA 360mΩ
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P-Kanal-Tor Zener 20V 760mA 360mΩ MOSFET NTA4151P der hohen Leistung einzelnes [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen Bauelementen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-30 21:42:13
China MOSFET NTA4001N der hohen Leistung
 Einzelner N-Kanal-Tor ESD-Schutz 20V 238mA 1.5Ω usine

MOSFET NTA4001N der hohen Leistung Einzelner N-Kanal-Tor ESD-Schutz 20V 238mA 1.5Ω
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N-Kanal-Tor ESD-Schutz 20V 238mA 1.5Ω MOSFET NTA4001N der hohen Leistung einzelner [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen Bauelementen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-30 21:42:13
China MOSFET NSM3005NZ der hohen Leistung
 N−Channel 20V 224 MA mit differenziellem PNP BJT 30V 500 MA usine

MOSFET NSM3005NZ der hohen Leistung N−Channel 20V 224 MA mit differenziellem PNP BJT 30V 500 MA
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MOSFET NSM3005NZ N−Channel 20V der hohen Leistung 224 MA mit differenziellem PNP BJT 30V 500 MA [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-30 21:42:13
China MOSFET NDT456P der hohen Leistung
 P-Kanal-Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor usine

MOSFET NDT456P der hohen Leistung P-Kanal-Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor
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P-Kanal-Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor MOSFET NDT456P der hohen Leistung [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen Bauelementen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-30 21:42:13
China MOSFET NDT452AP der hohen Leistung
 P-Kanal-Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor 30V 5A 65mΩ usine

MOSFET NDT452AP der hohen Leistung P-Kanal-Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor 30V 5A 65mΩ
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P-Kanal-Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor 30V 5A 65mΩ MOSFET NDT452AP der hohen Leistung [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-30 21:42:13
China MOSFET NDT451AN der hohen Leistung
 N-Kanal-Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor 30V 7.2A 35mΩ usine

MOSFET NDT451AN der hohen Leistung N-Kanal-Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor 30V 7.2A 35mΩ
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N-Kanal-Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor 30V 7.2A 35mΩ MOSFET NDT451AN der hohen Leistung [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronischen ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2022-05-30 21:42:12
China MOSFET NDT3055L der hohen Leistung
 N-Kanal Enahncement-Modus-Feld-Effekt-Transistor 60V, 4A, 100mΩ usine

MOSFET NDT3055L der hohen Leistung N-Kanal Enahncement-Modus-Feld-Effekt-Transistor 60V, 4A, 100mΩ
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Enahncement-Modus-Feld-Effekt-Transistor 60V, 4A, 100mΩ N-Kanal MOSFET NDT3055L der hohen Leistung [Wer wir? sind] Sonnenstrahl-Elektronik (Hong Kong) Co. Ltd ist Fokus auf Halbleiterauftreten und elektronische... Lesen Sie weiter Bestpreis
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