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Produktdetails:
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| MPN: | IPD90R1K2C3 | MFR: | Infineon |
|---|---|---|---|
| Kategorie: | MOSFET | Größe: | 2.41*6.73*6.22mm |
| Hervorheben: | MOSFET der hohen Leistung IPD90R1K2C3,MOSFET 3 der hohen Leistung Pin,Modul N-CH AMPAK Wifi |
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| EU RoHS | Konform mit Befreiung |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Teil-Status | Aktiv |
| SVHC | Ja |
| SVHC übersteigt Schwelle | Ja |
| Automobil | Nein |
| PPAP | Nein |
| Produkt-Kategorie | Energie MOSFET |
| Konfiguration | Einzeln |
| Verfahrenstechnik | CoolMOS |
| Kanal-Modus | Verbesserung |
| Kanaltyp | N |
| Zahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Maximale Abfluss-Quellspannung (V) | 900 |
| Maximale Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Maximale Tor-Schwellen-Spannung (V) | 3,5 |
| Funktionierende Grenzschichttemperatur (°C) | -55 bis 150 |
| Maximaler ununterbrochener Abfluss gegenwärtiges (a) | 5,1 |
| Maximaler Tor-Quelldurchsickern-Strom (Na) | 100 |
| Maximales IDSS (MA) | 1 |
| Maximaler Abfluss-Quellwiderstand (MOhm) | 1200@10V |
| Typische Tor-Gebühr @ Vgs (nC) | 28@10V |
| Typische Tor-Gebühr @ 10V (nC) | 28 |
| Typische eingegebene Kapazitanz @ Vds (PF) | 710@100V |
| Höchstleistungs-Ableitung (mW) | 83000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 40 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 20 |
| Typische Abschaltverzögerungs-Zeit (ns) | 400 |
| Typische Einschaltverzögerungs-Zeit (ns) | 70 |
| Minimale Betriebstemperatur (°C) | -55 |
| Normalbetriebshöchsttemperatur (°C) | 150 |
| Verpacken | Band und Spule |
| Maximale positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Maximale Dioden-Vorwärtsspannung (V) | 1,2 |
| Pin Count | 3 |
| Standardpaket-Name | TO-252 |
| Lieferanten-Paket | DPAK |
| Montage | Oberflächenberg |
| Paket-Höhe | 2,41 (maximal) |
| Paket-Länge | 6,73 (maximal) |
| Paket-Breite | 6,22 (maximal) |
| PWB änderte | 2 |
| Vorsprung | Vorsprung |
| Führungs-Form | Möve-Flügel |
Ansprechpartner: peter
Telefon: +8613211027073
