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BSS138LT1G Onsemi Mosfet-Transport N CH 50V 0.2A 3 Pin SOT-23 T/R

BSS138LT1G Onsemi Mosfet-Transport N CH 50V 0.2A 3 Pin SOT-23 T/R

BSS138LT1G Onsemi Mosfet Trans N CH 50V 0.2A 3 Pin SOT-23 T/R
BSS138LT1G Onsemi Mosfet Trans N CH 50V 0.2A 3 Pin SOT-23 T/R

Großes Bild :  BSS138LT1G Onsemi Mosfet-Transport N CH 50V 0.2A 3 Pin SOT-23 T/R Bestpreis

Produktdetails:
Herkunftsort: CHINA
Markenname: ONSEMI
Modellnummer: BSS138LT1G
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Paket-Menge
Preis: contact sales for updated price
Verpackung Informationen: Band und Spule
Lieferzeit: 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000+
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Hervorheben:

Onsemi Mosfet 50V 0.2A

,

Onsemi Mosfet-Transport N CH

,

BSS138LT1G 3 Pin

BSS138LT1G ONsemi Transport MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

AUF Halbleiter MOSFET ist ein n-Kanal MOSFET-Transistor, der im Anreicherungstyp funktioniert. Seine Höchstleistungsableitung ist 225 mW. Die maximale Abfluss-Quellspannung des Produktes ist- 50 V und Gate-Source-Spannung ist ±20 V. Dieser MOSFET hat einen Betriebstemperaturbereich -55°C zu 150°C.

Eigenschaften und Nutzen:
• Niedrige Schwellen-Spannung (VGS (Th): 0,85 V-1.5 V) macht es ideal für Niederspannungs-Anwendungen
• Miniatur-Oberflächenpaket des berg-SOT-23 spart Brett-Raum
• BVSS-Präfix für die Automobil- und anderen Anwendungen, die einzigartige Standort-und Steueränderungs-Anforderungen erfordern; AEC-Q101 qualifizierte und fähiges PPAP
• Diese Geräte sind Pb-frei, das Halogen Free/BFR, die frei ist und sind konformes RoHS

Anwendung:
• DC-DC Konverter
• Energiemanagement in den tragbaren und batteriebetriebenen Produkten wie Computern
• Drucker
• PCMCIA-Karten
• Zelluläre und drahtlose Telefone.

Produkt-technische Spezifikationen

EU RoHS Konform
ECCN (US) EAR99
Teil-Status Aktiv
HTS 8541.21.00.95
Automobil Nein
PPAP Nein
Produkt-Kategorie Energie MOSFET
Konfiguration Einzeln
Kanal-Modus Verbesserung
Kanaltyp N
Zahl von Elementen pro Chip 1
Maximale Abfluss-Quellspannung (V) 50
Maximale Gate-Source-Spannung (V) ±20
Maximale Tor-Schwellen-Spannung (V) 1,5
Funktionierende Grenzschichttemperatur (°C) -55 bis 150
Maximaler ununterbrochener Abfluss gegenwärtiges (a) 0,2
Maximaler Tor-Quelldurchsickern-Strom (Na) 100
Maximales IDSS (MA) 0,5
Maximaler Abfluss-Quellwiderstand (MOhm) 3500@5V
Typische eingegebene Kapazitanz @ Vds (PF) 40@25V
Typische Rückübergangskapazitanz @ Vds (PF) 3,5
Minimale Tor-Schwellen-Spannung (V) 0,85
Typische Ausgangskapazität (PF) 12
Höchstleistungs-Ableitung (mW) 225
Typische Abschaltverzögerungs-Zeit (ns) 20 (maximal)
Typische Einschaltverzögerungs-Zeit (ns) 20 (maximal)
Minimale Betriebstemperatur (°C) -55
Normalbetriebshöchsttemperatur (°C) 150
Verpacken Band und Spule
Maximale positive Gate-Source-Spannung (V) 20
Maximale pulsiert lassen Strom @ TC=25°C (a) ab 0,8
Typische Tor-Hochebenen-Spannung (V) 1,9
Pin Count 3
Standardpaket-Name TRUNKENBOLD
Lieferanten-Paket SOT-23
Montage Oberflächenberg
Paket-Höhe 0,94
Paket-Länge 2,9
Paket-Breite 1,3
PWB änderte 3
Führungs-Form Möve-Flügel
Verstärken Sie elektronische Signale und schalten Sie zwischen sie mithilfe AUF das BSS138LT1G-Energie MOSFET des Halbleiters. Seine Höchstleistungsableitung ist 225 mW. Um sichere Lieferung sicherzustellen und schneller Montage dieser Komponente nach Lieferung zu ermöglichen, wird sie im Band und in Spule eingehüllt, die während des Versandes verpacken. Dieser MOSFET-Transistor hat einen Betriebstemperaturbereich °C -55 bis 150 °C. Dieses Gerät verwendet tmos Technologie. Dieser n-Kanal MOSFET-Transistor funktioniert im Anreicherungstyp.

Kontaktdaten
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Ansprechpartner: peter

Telefon: +8613211027073

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