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Produktdetails:
Zahlung und Versand AGB:
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Produkt-Kategorie: | Energie MOSFET | MFR: | Texas-Instrumente |
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MPN: | CSD75207W15 | Paket: | BGA |
Hervorheben: | TI Transistor MOSFET-Reihe,Transistor MOSFET kleiden Doppelp CH,CSD75207W15 |
EU RoHS | Konform |
ECCN (US) | EAR99 |
Teil-Status | Aktiv |
SVHC | Ja |
Automobil | Nein |
PPAP | Nein |
Produkt-Kategorie | Energie MOSFET |
Konfiguration | Doppel |
Verfahrenstechnik | NexFET |
Kanal-Modus | Verbesserung |
Kanaltyp | P |
Zahl von Elementen pro Chip | 2 |
Maximale Gate-Source-Spannung (V) | -6 |
Maximale Tor-Schwellen-Spannung (V) | 1,1 |
Maximaler ununterbrochener Abfluss gegenwärtiges (a) | 3,9 |
Maximaler Tor-Quelldurchsickern-Strom (Na) | 100 |
Maximales IDSS (MA) | 1 |
Maximaler Abfluss-Quellwiderstand (MOhm) | 54@4.5V |
Typische Tor-Gebühr @ Vgs (nC) | 2,9 |
Typische eingegebene Kapazitanz @ Vds (PF) | 458 |
Höchstleistungs-Ableitung (mW) | 700 |
Typische Abfallzeit (ns) | 16 |
Typische Anstiegszeit (ns) | 8,6 |
Typische Abschaltverzögerungs-Zeit (ns) | 32,1 |
Typische Einschaltverzögerungs-Zeit (ns) | 12,8 |
Minimale Betriebstemperatur (°C) | -55 |
Normalbetriebshöchsttemperatur (°C) | 150 |
Verpacken | Band und Spule |
Lieferanten-Paket | DSBGA |
Pin Count | 9 |
Standardpaket-Name | BGA |
Montage | Oberflächenberg |
Paket-Höhe | 0,28 (maximal) |
Paket-Länge | 1,5 |
Paket-Breite | 1,5 |
PWB änderte | 9 |
Führungs-Form | Ball |
Ansprechpartner: peter
Telefon: +8613211027073