2N7002LT1G ONSEMI Mosfet-Transistoren N-CH 60V 0.115A 3 Pin SOT-23 T/R

Die AN Halbleiter MOSFETs sind entworfen worden, um Durchlasswiderstand herabzusetzen, während schroffe, zuverlässige und schnelle zugeschaltete Leistung zur Verfügung stellen Sie. Seine Höchstleistungsableitung ist 300 mW. Die maximale Abfluss-Quellspannung des Produktes ist- 60 V und Gate-Source-Spannung ist ±20 V. Dieser MOSFET hat einen Betriebstemperaturbereich -55°C zu 150°C.

Eigenschaften und Nutzen:
• Präfix 2V für die Automobil- und anderen Anwendungen, die einzigartige Standort-und Steueränderungs-Anforderungen erfordern; AEC-Q101 qualifizierte und fähiges PPAP (2V7002L)
• Diese Geräte sind Pb-frei, das Halogen Free/BFR, die frei ist und sind konformes RoHS

Anwendung:
• Servomotorsteuerung
• Energie MOSFET-Torfahrer